[ 목 차 ]

1. 개요
2. 산업 분석
3. 기술 개발 동향
4. 주요 플레이어 특허동향
5. 전략제품 기술 개발 전략
 

1. 개요 가. 정의 퍀 반도체 장치는 반도체 회로설계 웨이퍼 제조 등 반도체 제조를 위한 준비 단계부터 웨이퍼를 , 가공하고 칩을 제조하며 조립 및 검사하는 단계까지의 모든 장치를 지칭, 퍀 반도체 증착 장치는 반도체 원판 웨이퍼 과 유리기판 위에 원하는 분자 또는 원자 ( ) LCD 단위의 물질을 입혀 전기적인 특성을 갖게 하는 일련의 과정을 증착이라고 하며 웨이퍼 , 위에 특정 용도막을 증착하는 장치를 말함 퍀 반도체 증착 장치 중 화학증착장치 증착원인 가스를 CVD( : Chemical Vapor Deposition) 챔버에 흐르게 하면서 열적 또는 전기적으로 화학결합 반응을 일으키고 이에 따른 생성물을 반도체 웨이퍼나 디스플레이 글라스 기판 위에 퇴적시킴으로써 박막을 형성하는 공정을 위한 장치 ▪ D 공정은 다양한 반응가스를 화학적으로 반응시켜 만들어낸 입자를 웨이퍼 표면에 입혀 절연막 CV 전도성박막 등을 형성하기 위한 핵심 기술 ▪ 장치는 흔히 온도ㆍ압력ㆍ가스종류 및 웨이퍼 동시처리량 등의 기준에 따라 분류하고 있으며CVD , 상압 화학증착 장치와 저압 화학증착 장치는 압력에 따라 플라즈마 (APCVD) (LPCVD) , 화학증착 장치 등은 반응방법에 따라 유기금속 화학증착 장치 등은 원료가스 (PECVD) , (MOCVD) , 성분을 기준으로 구분 ▪반도체 디스플레이 제조 과정에서 증착 식각 등의 공정은 주로 고온 고압의 플라즈마 상태에서 / , , 진행되어 이 때문에 장치 내부의 부품들은 열과 부식에 강해야 하고 화학적 특성도 우수해야 함, , ▪대표적인 소재가 산화피막 처리된 알루미늄 즉 알루미나, (Al2O3 다) . Al2O3는 내열성 내마모성이 , 뛰어나고 전기 절연체로서의 특성도 우수함 이 때문에 챔버 전체를 보호하는 하우징 소재로 . 채택되고 있으며 챔버 내부에서도 상부전극 디퓨저 하부전극 서셉터 포토척 등과 같은 핵심 , ( ), ( ), 부품의 기본 소재로 사용 중 ▪특히 실리콘 및 쿼츠(Si) (SiO2 는 내구성과 신뢰성이 높고 가공이 용이해 챔버 내부에서 링 부품의 ) 소재로 많이 쓰임 최근에는 실리콘이나 쿼츠 소재보다 고온안정성과 내식성이 뛰어나고 강도. , 내열성 내마모성이 우수한 실리콘카바이드 가 증착 및 식각 공정에 적용되는 추세, (SiC) 퍀 반도체 증착 장치의 핵심 요소는 히터 플라즈마 프리커서 등과 같은 기술이 요구되고 , , 있으며 특히 반도체용 의 경우는 증착 공정에서 원하는 막질을 얻기 위한 증착 , Heater 장치의 핵심부품 요소로 자리 잡음 6. 반도체 증착 장치 및 부품 - 4 - 반도체 공정 단계 개념도 [ ] 나. 필요성 퍀 인터넷에 연결된 사물의 수가 폭발적으로 증가함에 따라 수집된 빅데이터의 분석 판단 추론 , , 등을 위한 프로세서 및 저장 장치의 성능 및 에너지 효율 개선이 절실히 요구 중 ▪빅데이터를 처리하는 데이터 센터에서는 성능은 유지하면서 전력 소모를 줄여 유지보수 용을 최소화 하는 추세가 있으며 이를 위한 메모리 반도체의 미세화 및 차세대 메모리 소자의 개발이 필요, ▪에너지 효율성 개선을 위한 미세화 및 반도체를 제작하기 위한 반도체 장치 기술에 대한 관심이 3D 고조되고 있음 퍀 반도체 공정은 고집적화 및 고속 동작을 위하여 미세 패턴화 되어가고 있으며 이와 함께 , 수율 향상을 위한 장치의 대구경화로 발전 중 ▪반도체 제조 공정 시 여러 가지 문제가 발생하기 때문에 이를 극복할 수 있는 차세대 반도체 공정 기술 개발이 필요한 추세 ▪미세공정이 다변화되고 있지만 차원 구조 역시 확대되고 있으며 특히 차원 구조는 와 3 , 3 NAND 시스템 반도체에서 본격화될 전망 ▪ 가 단에서 단으로 전환될 것으로 전망되고 또한 시스템 반도체 부문에서는 3D NAND 48 64 , 3D 공정 확대로 나노 공정 이후 나노 공정경쟁을 예상FinFET 10 7 퍀 반도체 증착공정은 열전달 및 온도 균일화 기능이 보강되며 공정 중 휨 방지가 가능한 정전척 기능이 구현된 히터가 일부 적용되어 기능의 개선이 요구되는 중 퍀 반도체 제조과정의 를 차지하는 전공정 중에서 비율을 차지하기 때문에 핵심 77% 13% 공정으로 분류됨 증착장치에 따라 증착물질의 막질이 좌우되기 때문에 공정상의 필요에 . 따라 맞춤형 증착장치를 개발하는 중