현재 micro-LED 의 기술개발 수준을 각 부분별로 살펴보면 기술 성장 수준이 가장 낮은 분야 가 웨이퍼, 에피택시, 칩이다. 웨이퍼는 무기물 재료를 성장시킬 수 있는 기판이고, 에피택시는 무 기물을 성장시키기 위한 방법으로 다양한 공법이 연구개발 중이며, 칩은 에피택시 공법으로 성장 시킨 단결정을 모듈화하기 위한 전 단계이다. 이 세 가지 분야는 아직까지 양산화를 위해 필요한 장비, 공정, 소재 개발이 진행 중인 상황이다. 그다음으로 검사 부분은 micro-LED 의 수율 향상을 위해 필수적인 공정 단계로서 현재 PL(photoluminescence) 및 EL(electroluminescence) 테스트로 나눌 수 있다. 두 가지 테스트는 각각 장단점이 있는데, PL 의 경우 빛을 인가하여 발광 여부를 검사하기 때문에 LED 칩에 손상을 주지 않지만 검출 효과가 낮은 반면, EL 의 경우 주변에 전기 를 인가하여 검사하는 시스템으로 검출 효과는 우수하나 LED 칩에 손상을 줄 수 있다. 따라서 기존의 테스트 장비인 PL/EL 은 미세한 micro-LED 칩의 결함을 검출하는 것이 어렵기 때문에 손 상을 방지하면서 검출 효율을 높이기 위한 시스템을 개발 중이다. 다음으로 micro 사이즈의 LED 칩을 기판에 정확한 위치에 옮기는 전사 기술이 있는데, 이 기술은 향후 micro-LED 를 상용화하 기 위한 핵심 기술이라고 할 수 있으며, 현재 전사 기술은 직접 LED 칩을 이동시키는 방식과 중 간 매개체를 이용하여 이동시키는 방식이 있다. 무기물 재료 기반인 micro-LED 는 단색광만 표시