◎ 정의

반도체 노광 공정은 웨이퍼의 표면 에너지를 감소시키기 위해 웨이퍼의 표면에 유체를 접촉시킨 상태로 웨이퍼에 에너지를 전달하는 공정 및 이를 위한 장치를 포함함

◎ 필요성

반도체 장치는 전기·전자공학, 화학, 광학, 정밀가공 기술 등 다양한 최첨단 기술들이 요구되는 기술집약형 융합산업임. 최근 반도체 소자의 고집적화와 미세화를 위해 반도체장치의 중요성이 더욱 높아진다고 볼 수 있음

반도체 기술의 핵심은 셀과 셀 사이의 간격을 좁히는 집적화이고, 이를 구현하기 위해서는 기본적으로 노광장치의 힘이 필요함. 차세대 반도체 회로의 미세 패턴 제작기술이 극자외선 노광기술로 세대교체가 이뤄지고 있음

웨이퍼에 미세패턴 제조 시 웨이퍼 위에 포토레지스트를 도포, 노광공정을 통하여 반도체 웨이퍼에 미세패턴을 형성 및 웨이퍼와 포토 마스크를 정렬시키기 위한 스테이지 장치 등 노광 관련 공정장치를 뜻함

▪45nm 이하 반도체 패턴을 구현하는 ArF Immersion Scanner와 일체형/독립형 등으로 구성되어 PR Coating, Bake, Develop 공정 장치 등이 속함

▪반도체의 회로를 Wafer 상에 묘화하는 공정을 「노광공정(Lithography공정)」이라고 함. 노광장치는 광을 출력하는 조명계, 수차를 잡아 접속하는 렌즈계, 실리콘 Wafer 수㎚로 자르는 정밀도로 고속으로 구동시키는 Stage로 되는 비상히 고도한 반도체 제조 장치임

반도체소자의 제조과정 중 노광(Exposure)공정은 노광기(Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진으로 찍어내는 공정임

▪첨단 광학기술을 기반으로 하는 반도체 노광장치에 관한 기술로 미국, 유럽, 일본 등 선진국의 기술 경쟁이 매우 치열한데, 반도체 및 액정 디바이스의 성능을 결정하는 주요 기술로 부각되고 있는 기술로, 마스크 위에 설계한 패턴을 반도체 웨이퍼 위에 설치하는 미세가공장치에 적용할 수 있음