펄스파워용 1400V급 MCT (MOS Controlled Thyristor) 소자/공정 설계 및 제작 기술
- 세부기술(1) : -5V/5V 게이트전압으로 동작하는 펄스파워용 1400V급 MCT 기술
- 세부기술(2) : 0V/5V 게이트전압으로 동작하는 펄스파워용 1400V급 MCT 기술

- 대상기술은 1400V급 실리콘 고전압스위치인 MCT (MOS Controlled Thyristor)로써 펄스파워 응용분야에서 큰 피크전류와 높은 di/dt 특성을 가지는 전력반도체 소자임. 

- MCT는 MOS Gate로 On/Off가 가능한 Thyristor 계열 전력반도체로써, Power MOSFET이나 IGBT 등의 전력반도체보다 높은 전류밀도에서 전압손실이 적고, 특히 턴-온시 큰 피크전류와 높은 di/dt 특성을 가져 군수·민수용 펄스파워 응용분야에 큰 장점을 가짐.

- 1400V급 MCT는 미사일 신관 기폭부 등 군수분야 핵심부품으로 미국 Silicon Power Corp.이 독점공급하고 있어 (EL품목) 공급에 제한을 받고 있으며 이에 대한 부품 국산화가 반드시 필요함.

- MCT의 민수분야 응용은 현재 제한적이지만 기술 상용화 후 적용분야 발굴 및 시장을 개척할 경우 대전력분야에서 다양한 전력부품의 효율을 향상시킬 수 있어 부품 성능 향상 및 에너지를 절감할 수 있음   

- 본 기술이전을 통하여 펄스파워용 1400V급 MCT 기술을 국내업체에 기술이전함으로써, 방산 분야 뿐만 아니라 입자가속기, 대전력 펄스전류 전송 등 기간산업용 전력부품 뿐만 아니라, 각종 가전기기, 신재생/대체 에너지, 전기자동차 등에 사용되는 전력반도체 소자 및 부품 개발을 앞당길 수 있어 수입대체 및 수출효과를 가져올 수 있으며, 관련 제품의 국가 경쟁력을 향상시킴.