제목 | 반도체 식각공정 부품_중소벤처기업부로드맵[반도체 분야] |
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분류 | 성장동력산업 | 판매자 | 전아람 | 조회수 | 62 | |
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용량 | 6.14MB | 필요한 K-데이터 | 3도토리 |
파일 이름 | 용량 | 잔여일 | 잔여횟수 | 상태 | 다운로드 |
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반도체 식각공정 부품_중소벤처기업부로드맵[반도체 분야].pdf | 6.14MB | - | - | - | 다운로드 |
데이터날짜 : | 2022-02-11 |
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출처 : | 중소벤처기업부 |
페이지 수 : | 49 |
[ 목 차 ]
1. 개요
2. 산업 분석
3. 기술 개발 동향
4. 주요 플레이어 특허동향
5. 전략제품 기술 개발 전략
1. 개요 가. 정의 퍀 식각 에칭 은 반도체 웨이퍼 위에 쌓인 불필요한 부분을 깎아내는 작업으로 반도체 공정에 ( ) 필수적인 작업이며 공정미세화 작업을 위하여 정전척 보론 등 , , (Boron SiC edge r – ing) 핵심기술을 포함하는 장치 및 부품 퍀 탄화규소 는 강한 공유결합 물질로 열전도율과 경도가 높고 내플라즈마성 내산화성(SiC) , , 내마모성 내부식성 고온 안정성 및 열충격 저항성이 우수하여 , , HCI, HF, H2, H2SO4, 등의 용액에 침식되지 않고 반도체 공정 중 발생이 없어 반도체 제조공정용 NaOH particle 소재로써 활용할 수 있는 우수한 특성이 존재 ▪반도체 공정 중 발생이 없어 반도체 제조공정용 소재로써 활용할 수 있는 우수한 특성이 particle 존재 ▪최근 반도체 공정의 고집적도를 위한 선폭 미세화 진행에 따라 고출력의 플라즈마가 필요하게 되었으며 이에 따라 건식에칭 공정의 관련 부품 또한 내플라즈마 특성이 우수한 , (dry etching) 부품이 필요하고 의 증가도 요구되는 추세lifetime ▪기존 반도체 공정에서 많이 사용되었던 실리콘 석영 및 알루미나를 대체하는 소재로서 , SiC(Silicon 재질의 부품 비중이 급격히 증가하는 추세carbide) 퍀 탄화규소 엣지 링 플라즈마를 이용하는 건식 식각 또는 박막 증착 (SiC Edge Ring) : 장치 의 경우 웨이퍼에 를 인가하여 이온의 에너지와 입사각을 조절(PECVD) RF bias ▪종래에는 웨이퍼의 가장자리 영역을 공정 대상에서 제외하는 로 지정하였으나 3mm exclusion area 점차 공정 기술의 발달로 이내로 감소함에 따라 웨이퍼의 가장자리에서 발생하는 전기장의 2mm 방향 및 크기 변화를 조절할 수 있는 기술개발의 필요성 증가 탄화규소 엣지 링 [ ] 5. 반도체 식각공정 부품 - 4 - 나. 필요성 퍀 최근 세계 반도체 시장은 가격 하락에 따른 세계시장 점유율 확보를 위한 경쟁이 진행됨에 따라 이를 위한 세계 반도체 시장에서의 가격 경쟁력을 확보하기 위한 반도체의 고집적화 및 실리콘 웨이퍼 의 대구경화 공정기술개발이 활발(Si-wafer) 퍀 단결정 의 대구경화 반도체 제조공정개발은 점진적으로 진행되고 있으며 반도체 Si- wafer 고집적화 및 대구 경화에 의한 높은 수율의 반도체 제조공정을 성공적으로 Si-wafer 개발하기 위해서는 새로운 공정장치 및 부품 소재의 개발이 필수적으로 요구되고 있으나, 국내 반도체 산업에서 사용되는 반도체 제조공정 장치 및 부품 소재의 국산화율은 30% 내외이기 때문에 국내 반도체 산업의 경쟁력 향상에 취약 퍀 반도체 공정에서 사용되고 있는 세라믹스 부품의 주요 소재로 석영 탄화규소(Quartz), (SiC), 알루미나 질화알루미늄 등을 주로 사용(Al2O3), (AlN), Si 퍀 이들 소재 중 탄화규소는 강한 공유결합 물질로 다른 세라믹 재료에 비해 열전도율과 경도가 높고 내산화성 내마모성 내부식성 고온 안정성 및 열충격 저항성 내 입자 오염 특성 등 , , , , , 반도체 제조공정용 소재로 우수한 특성을 보유 퍀 이에 따라 기존 반도체 공정에서 많이 사용되었던 실리콘 석영 및 알루미나를 대체하는 , 소재가 필요한 상황이고 이의 대체소재로서 재질의 부품 비중이 , SiC(Silicon carbide) 급격히 증가하는 추세 퍀 탄화규소 소재는 강한 공유결합 물질로 다른 세라믹 재료에 비하여 열전도율과 경도가 (SiC) 높고 내플라즈마성 내산화성 내마모성 내부식성 고온 안정성 및 열충격 저항성이 우수한 , , , , , 소재이며 반도체공정 중 발생이 없어 반도체 제조공정용 소재로써 활용할 수 있는 , particle 우수한 특성을 보유 퍀 반도체 공정용 탄화규소 소재는 기상 성장법 반응소결법 및 소결법 등으로 제조되며(SiC) , , 고성능 소재는 기상 성장법 저가의 소재는 반응소결법으로 주로 제조 과거 , . WPM (World s) 과제에서 고순도 소결법을 연구하였으나 장점 부족 등의 원인으로 Premier Material 과제가 조기 종료 되는 산업으로 모바일 가전을 비롯하여 자동차 건자재 등에 방대하게 , , 사용되어 산업적 연계고리와 파급효과가 매우 큰 분야
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