1. 개요 가. 정의 퍀 tion, ) 화학 기상 증착 란 기체 또는 증기 상의 원료를 CVD(Chemical Vapor Deposi 이용하여 고체 박막을 증착하는 공정기법 또는 해당 공정을 수행하는 장비기술을 지칭함 퍀 는 기본적으로 반도체 공정 중 박막 증착 공정의 일종으로 개발되었으며 이후 CVD 디스플레이 및 태양광 공정으로 파급되었음, LED ▪ 를 이용하여 다양한 유전체 도체 및 반도체 재료를 CVD (Dielectrics), (Conductor) (Semiconductor) 합성 가능하며 합성한 재료를 전자소자의 요소 또는 소자의 보호층 등으로 다양하게 활용 가능함 퍀 태양전지용 는 반도체용 기술에서 파생되어 고수율 고생산성 및 비용효율 등의 CVD CVD , 공정 인자를 핵심 요소로 발전하고 있음 ▪태양전지 공정은 반도체 공정에 뿌리를 두고 고정밀 고집적의 현대 반도체 공정과 대면적 고수율 및 / , 비용효율 중시의 태양전지 공정으로 각각 발전하였으며 현대 반도체 집적회로 공정과 현대 고효율 , 태양전지의 공정 변화에 따라 년대 이후 독립적인 태양광 공정으로 진화하였음2010 태양전지용 장비의 종류 [ CVD ] 출처 * : WONIK IPS 나. 필요성 5. 태양전지용 CVD 장치 - 2 - ◎ 태양전지용 CVD 퍀 태양전지 공정에서 는 합성 물질로 구분할 경우 크게 가지 공정에 사용됨 에피탁시 CVD 3 : 실리콘 웨이퍼 성장 패시베이션 박막 공정 및 반사방지막 공정, 퍀 에피탁시 실리콘 웨이퍼 성장은 가스 전구체를 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼를 직접 성장하는 방법 ▪기존의 초크랄스키 웨이퍼 제조공정보다 공정단계를 크게 단축할 수 있고 재료의 낭비가 적어 차세대 웨이퍼링 기술로 매우 주목받고 있음 - 기존 초크랄스키 웨이퍼 제조공정은 가스 전구체를 이용하여 폴리실리콘을 성장하고 이것을 다시 용융한 후 단결정의 실리콘 주괴 를 성장한 뒤 다시 주괴를 절단 가공하여 웨이퍼를 성장하(ingot) 는 방법 에피탁시 웨이퍼 성장공정의 개략도 [ ] 출처 * : Crystal Solar 퍀 이와 같은 이유로 인해 에피탁시 실리콘 웨이퍼 제조 기술의 국산화에 성공할 경우 기존의 초크랄스키 웨이퍼 제조공정에 기반한 현대 태양광 제조업의 시장 판도를 획기적으로 변화시키고 기술 주도권을 단숨에 국내로 가져올 파급력을 지니고 있음 퍀 패시베이션 박막 증착공정은 고효율 태양전지를 구현하는데 핵심적인 단계로써 실리콘 기판 표면의 결함을 제어하기 위한 단일 박막 또는 박막 적층구조를 실리콘 기판 표면에 증착하는 공정임 퍀 특히 패시베이션 증착공정은 국내 기술 경쟁력이 높은 공정을 사용하며 기술적 PECVD 난이도가 높아 고효율 태양전지 제작이 가능한 반응기 기술의 국산화에 성공할 경우 PECVD 고효율 고부가가치 태양전지의 기술 주도권을 확보할 수 있음 / 퍀 반사방지막 공정은 태양전지 표면의 반사를 저감하고 태양전지의 광학적 손실을 최소화하기 위해 적당한 두께의 유전체 박막을 태양전지 표면에 증착하는 공정으로 태양전지 제조에 필수적인 공정임 다. 범위 및 분류