# 중국은 첨단 반도체 초미세 공정에 필요한 핵심 장비인 극자외선(EUV) 노광장비' 시제품을 완성하였으며, 이를 이용해 이르면 '28년에 칩을 생산하겠다는 목표를 수립한 것으로 전해짐
      * 약 7m 이하의 초미세 공정 찹을 제조할 때, 매우 짧은 파장의 빛을 이용해 워이퍼 위에 회로 패턴을 픽어내는 핵심 장비
○ 中은 심천의 고보안 연구시설에서 ASML 출신 엔지니어들과 함께 이를 조립해 극자외선 생성에 성공하였으나, 작동 가능한 칩을 만들

    지는 못한 상태임
○ 전문가들은 비록 중국 정부가 '28년을 목표로 칩을 생산하겠다고 하였으나, '30년 정도가 현실적인 목표가 될 것이라고 보고 있음

# 중국이 첨단 반도체 제조 장비 개발에 박차를 가한 이유는 지난 '19년 미국·네덜란드가 ASML EUV의 對中 수출을 막은 이후 반도체 산업 발전의 병목 위기를 느꼈기 때문임
○ CSIS의 분석에 따르면, SMIC와 같은 중국 파운드리 기업들은 EUV 없이 DUV 멀티 패터닝*으로 첨단 반도체를 생산했으나, 공정

    이 복잡해져 생산단가와 수율이 악화되었음
      * 기존의 DUV(심자외선) 노광 기술의 한계를 극복하여 한번의 노광으로 그리기 어리운 패턴을 여러 번의 식각 공정을 반복하여

          구현하는 기술

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