II. 기술의 개념 및 내용 PAM4-106Gbps EML 광원소자 - 기술개요: DFB-LD 광원소자에 전계흡수변조기(Electro-Absorption Modulator: EAM) 가 집적된 고속 광원소자로, 전류 변조방식의 DML과 달리 EAM에 전압신호를 인가하 여 고속으로 광신호를 생성 - 구조: 고신뢰성 InGaAsP 기반 DFB-LD 및 EAM 집적 * 본 내용은 한영탁 책임연구원(☎ 042-860-5067, frenclin@etri.re.kr)에게 문의하시기 바랍니다. ** 본 내용은 필자의 주관적인 의견이며 IITP의 공식적인 입장이 아님을 밝힙니다. ***정보통신기획평가원은 현재 개발 진행 및 완료 예정인 ICT R&D 성과 결과물을 과제 종료 이전에 공개하는 “ICT R&D 사 업화를 위한 기술예고”를 2014년부터 실시하고 있는 바, 본 칼럼에서는 이를 통해 공개한 결과물의 기술이전, 사업화 등 기술 활용도 제고를 위해 매주 1~2건의 관련 기술을 소개함 PAM4-106Gbps EML 광원소자의 EA 변조기 제작 기술 Chapter 03 개발목표시기 2022. 12. 기술성숙도 (TRL) 개발 전 개발 후 4 6 결과물 형태 HW-Chip 검증방법 3자 검증, 시험인증(공인시험성적서) Keywords Electro-Absorption, DFB-LD, InAlGaAs, LWDM 외부기술요소 - 권리성 설계도, 공정 시방서 주간기술동향 2021. 8. 18. 24 www.iitp.kr III. 국내외 기술 동향 및 경쟁력 1. 기술의 특성 및 성능 PAM-4 106Gbps LWDM 8파장 EML 광원은 물질의 파장에 따른 이득 분포로 인해 하나의 웨이퍼에서 2개 파장 개발이 가능하고, O-band와 E-band에 걸쳐 있는 CWDM