가. 정의 및 필요성
(1) 정의

☐ 반도체 증착장비는 반도체 소자를 구동하기 위해 필요한 다양한 물질을
통상 1㎛이하의 얇은 막을 Wafer위에 다양한 Film을 화학적, 물리적
방법으로, 절연체, 전도체 등의 증착하는데 사용하는 장비

❍ 증착(deposition)은 기판 위에 고체 또는 박막의 물질을 생성하는 과정으로
증착 공정은 반도체를 제작하는데 사용되는 유전체(절연)와 금속(전도) 재료
의 층을 형성하는 공정
- 재료의 종류와 구조에 따라 다양한 증착 기법이 사용됨. 증착은 수 ㎚에서
100㎛에 이르는 박막을 생산하는데 사용되기 때문에 프론트엔드 반도체 제조
공정에서 핵심 기술

❍ 증착의 방법은 크게 물리적 기상증착방법(PVD, Physical Vapor Deposition)과
화학적 기상증착방법(CVD, Chemical Vapor Deposition)으로 구분

☐ 식각장비는 반도체 제조 공정에서 반도체 웨이퍼 또는 웨이퍼 위에
증착된 박막을 선택적으로 제거하여 원하는 형태의 구조물로 만드는 장치

❍ 반도체 소자의 크기가 점차 미세화 및 고집적화 되어감에 따라 식각장비를
설계, 구현, 검증에 많은 시간과 노력이 들어가고 있으며, 이를 보완하기 위해서
다양한 반도체 식각 기술이 개발되고 있음

❍ 식각 반응에 사용하는 물질에 따라 습식 식각과 건식 식각으로 구분되며,
습식 식각의 경우 용해성 화학물질을 사용
- 대부분의 식각공정은 건식을 채용하고 있으며, 습식 식각은 세정 쪽으로 응용 및 발전
- 건식 식각의 경우 기체 또는 플라즈마를 사용하며 건식 식각장비는 식각
방향을 자유롭게 선택할 수 있기 때문에 미세한 공정에 사용할 수 있으며,
현재 거의 모든 건식 식각장비는 플라즈마를 사용

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