[ 목 차 ]

1. 개요
2. 산업 분석
3. 기술 개발 동향
4. 주요 플레이어 특허동향
5. 전략제품 기술 개발 전략

1. 개요 가. 정의 반도체 공정에서 산화 감광 노광 현상 식각 이온주입의 반복적인 공정을 통하여 반도체 → → → → →퍀 칩이 제조되는데 이때 공정 전후로 세정공정을 적용시켜 공정 시 발생한 이물질을 제거하여 , 제품의 수율을 향상시키도록 하는 장치 퍀 반도체 세정은 일반적으로 실리콘기판에 묻은 이물질을 제거하기 위하여 매 또는 매 의 25 50 실리콘기판을 약액 수조와 초순수 수조 이동하면서 제거하는 기술 퍀 세정 공정은 웨이퍼 세정을 제대로 하지 않으면 이물에 의한 제품의 성능과 신뢰성에 치명적인 악영향을 끼치게 됨 그 결과 수율이 떨어져 다음 공정으로 진행시켜야 할 양품 . 개수가 적어지고 제품 품질이 나빠져 고객 불만이 높아지는 등 경영상의 문제로 직결할 수 , 있음 퍀 회로 선폭이 마이크로미터에서 나노미터 단위로 작아짐에 따라 커패시터 등을 /Via hole/STI 만들기 위한 참호가 좁고 깊어지게 됨 이에 따라 참호 속 찌꺼기들을 파내기가 점점 . 어려워져 테크놀로지가 세밀화 될수록 세정의 중요성 커지고 있음 퍀 화학용액을 이용하는 습식세정 용액 이외의 매체인 플라즈마를 이용하는 건식세정, , 습식세정과 건식 세정의 중간 형태인 가스를 기상화 시켜 세정하는 기상 세정 등으로 크게 가지로 나눌 수 있음3 퍀 세정공정에서는 특히 잔류물이 어떤 성질을 갖고 있는지에 대해 우선적으로 확인해야하고, 웨이퍼 표면의 잔류물은 포토공정 후 남은 감광액 찌꺼기 식각공정 시 제거되지 않은 PR( ) , 산화막 공중의 부유물이 내려앉은 파티클 앞 공정에서 사용된 유기물과 금속성 잔류물 혹은 , , 세정공정 시 차적으로 반응하여 붙어 있는 화학물질 등 매우 다양하기 때문에 웨이퍼를 2 세정할 때는 한 가지 방식만을 적용할 수 없음 ▪ 습식세정 반도체 세정공정에서 가장 빈번하게 사용되는 기본적인 방식 습식세정 후에는 린스와 ( ) , 건조를 시켜야 하는 부담이 있고 디자인 룰이 점점 작아지면서 습식세정으로의 한계에 의하여 , 건식세정이 점점 늘어나고 있음 그러나 비용이 적게 들고 공정 방식이 간단하다는 장점이 있어 . 아직까지는 습식세정이 주류를 이루고 있음 ▪ 습식세정 방식의 다양화 산화반응을 하는 과산화수소를 주축으로 다른 여러 세정 물질을 섞어( ) , 식각을 추가로 진행한다거나 다른 세정 항목을 더하여 결과적으로 전체적인 세정 효율을 높이는 , 방식으로 다양화하는 세정 방식 개발RCA 전략품목 현황분석 - 3 - ▪ 건식세정 액체보다는 플라즈마를 사용하는 건식세정이 점점 부각됨 건식은 습식에 비해 투자 ( ) . 비용이 많이 들고 장치 다루기가 복잡하며 세정 방식 또한 까다롭지만 표면에 남아있는 산화막 , PR, 등을 제거하는 데 탁월한 장점을 가지고 있음 세정 방식은 과산화수소 계열의 습식에서 다변화하여 . 비과산화수소의 습식세정으로 발전하였고 이를 더욱 다양화하여 초음파 습식 비습식 세정액 , ( + : 상태에서 초음파 공급 를 사용하거나 레이저 드라이아이스 자외선 혹은 최근에는 플라스마를 ) , , 사용하는 강력한 건식세정 방식으로 진화를 거듭하고 있음